質疑對手技術領先,三星將公開 10 奈米級製程 DRAM 電路線寬應戰

先前媒體報導,目前仍在 DRAM 市占上領先全球的南韓大廠三星,在競爭對手持續在技術上的精進,甚至宣布超越三星推出新一代技術的產品之後,三星開始擔心就此失去全球龍頭的位置。對此,根據南韓媒體 《BusinessKorea》 的報導,三星準備打破 DRAM 業界的傳統,預計將公布 DRAM 產品的電路線寬,以顯示三星讚技術上的領先,並進一步在競爭對手的競爭下持續維持領先的態勢。

報導指出,DRAM 的電路線寬被業界認定是衡量半導體記憶體公司技術能力的重要指標,原因是 DRAM 的電路線寬越窄,其功率效率就越高。因此,在牽涉技術機密情況下,過去 DRAM 業界的傳統就是不明確公開相關產品的確切電路線寬。而且,隨著 DRAM 製程技術在 2016 年進入 10 奈米級製程之後,DRAM 製造商也普遍共識要避免過去參與相關技術與市場的惡性競爭。原因在於在進入到 10 奈米級製程之後,DRAM 製造商要將電路線寬縮小 1 奈米,就需要 2 到 3 年研發時間,如此長的研發時間與成本投入,也代表著透過技術議題來進行行銷的意義效果並不大。

所以,基於以上的因素,在過去的 5 到 6 年中,全球 DRAM 製造商事實上從未確實的發表過 DRAM 產品的電路線寬數字。這也是 DRAM 產業普遍將 2016 年推出的 10 奈米級製程歸類為第一代 1x 奈米製程,將 2018 年推出的 10 奈米級製程歸類為第二代 1y 奈米製程,以及在同一年推出的 10 奈米級製程歸類為第三代 1z 奈米製程,之後於 2021 年初問世問世的第四代 10 奈米級製程,其就稱之為 1a 奈米製程的原因。

報導強調,就因為 DRAM 廠商普遍將 10 奈米級製程以 1x 奈米製程、1y 奈米製程、1z 奈米製程等來稱呼,所以很難清楚確認例如三星的 1z 奈米製程 DRAM 和 SK 海力士的 1z 奈米製程 DRAM 在電路線寬上的差異。對此,三星決定放棄傳統打 「模糊戰」 的方式,預計將公布旗下各 10 奈米級製程 DRAM 的電路線寬,其代表三星對於本身製程的信心之外,並進一步面對競爭對手的競爭。

三星表示,其將在 2021 年下半年大量生產 1a 奈米製程 DRAM,該產品的電路線寬就是 14 奈米。事實上,三星是全球第一家在 2016 年初開始大量生產第一代 1x 奈米製程 DRAM 的公司,而這量產的時間在當時領先了競爭對手 SK 海力士和美光大約半年到1年的時間。而即使到了 2019 年開發出 1z 奈米製程 DRAM 之前,即使三星沒有詳細公布其 DRAM 的電路線寬,卻也沒有人否認三星擁有 DRAM 產業中最好的技術。

只是,以上業界習以為常的情況,終於在第四代 1a 奈米製程 DRAM 的產品上被打破。這是因為全球第三大 DRAM 製造商美商美光 (Micron) 在 2021 年 1月令人意外的宣布,已經開發出全球首個,而且已經大量生產的 1a 奈米製程 DRAM,這使得美光在技術上的發展一口氣領先了員的龍頭三星。而對於這樣的情況,三星主管 DRAM 的 DS 業務高層表示了憂心與不滿,因為三星 DS 業務高層認為過去所生產 的1x、1y 和 1z 奈米製程 DRAM 的性能遠遠優於競爭對手,如今在技術上被超越是很大的衝擊,於是也開始懷疑了美光宣稱的 1a 奈米製程 DRAM 的實際情況。

報導強調,三星不僅懷疑美光誇大宣稱其 1a 奈米製程 DRAM 的效能。而且,因為至今還沒看到美光發表相關產品的照片,也質疑其 1a 奈米製程 DRAM 是否已經真的可以進行大規模量產。在此情況下,三星決定明確的公布其下各代 10 奈米級製程 DRAM 的電路線寬數字,除了代表以真正的實力面對競爭對手的挑戰之外,更希望長時間能鞏固 DRAM 龍頭寶座位置。

(首圖來源:三星官網)